Справочник по планарным микросхемам

справочник по планарным микросхемам
Эпитаксия). В результате такого сочетания создан широкий класс разнообразных планарно-эпитаксиальных ПП приборов. Планарная технология — совокупность технологических операций, используемая при изготовлении планарных (плоских, поверхностных) полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Помимо сокращения SOIC для обозначения корпусов этого типа могут использоваться буквы SO, а также SOP (Small-Outline Package) и число выводов.


Справочники по радиодеталям: микросхемам, транзисторам, диодам, резисторам и конденсаторам. Flat package (FP) изобретённом Y. Tao в 1962 году, за два года до изобретения DIP Он же, в пластиковом носителе Самые ранние интегральные схемы упаковывались в плоские керамические корпуса. Способ позволяет прорезать пластину всю толщину, но обычно используется для процарапывания с последующим раскалыванием. резка лазерным лучом: образование рисок происходит в результате испарения материала подложки сфокусированным лазерным лучом. ТолкованиеПеревод ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ (от англ. planar — плоский) — высокопроизводит. метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Хотя таковые существовали… 1ИЛ371 1ЛБ376 Логический элемент 5ИЛИ-НЕ/5ИЛИ; в дальнейшем сменила название на 137ЛМ4. Справочный лист на неё. 1ЛБ3719 В своей исходной нумерации эта серия добралась аж до девятнадцатого номера! Монтаж методом перевернутого кристалла позволяет располагать контактные площадки по всей площади кристалла, а не только по краям. В настоящее время активно развивается подход с размещением нескольких полупроводниковых кристаллов в едином корпусе, так называемая «Система-в-корпусе» (англ.

Получило распространение сочетание методов П. т. с технологией эпитаксиального выращивания (см. Крепление кристаллов к корпусу После скрабирования кристаллы присоединяют к основанию корпуса: методом приклеивания — используются клеи на основе эпоксидной смолы, со временем деградирует: хуже проводит тепло, становится хрупкой, соединение становится непрочным. После этого поверхность пластины снова изолируют, выполняют контактные окна, и наносят проводящие дорожки и контактные площадки. В сложных микросхемах контактные дорожки могут выполняться в несколько уровней с нанесением между уровнями диэлектрических прослоек, опять же с вытравленными окнами. При отжиге атомы алюминия диффундировали в германий, создавая внутри базы тонкий слой p-типа (собственно эмиттер). Электрический контакт с коллектором, скрытым внутри диффузионного слоя базы, создавался при пайке кристалла к корпусу транзистора припоем, содержащим индий. Принципы технологии На вход технологии поступают пластины, называемыми подложками.

Похожие записи: